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Personen: Platzer, R. (Autor) 
W√∂hrmann, U. (Autor) 
Ding, X.L. (Autor) 
Fink, R. (Autor) 
Krausch, Georg (Autor) 
Voigt, J. (Autor) 
Wesche, R. (Autor) 
Schatz, G. (Autor) 
  
Titel: Compound formation in Ni/In thin film systems
  
Quelle: Hyperfine interactions. Bd. 60. H. 1/4. Dordrecht : Kluwer. S. 1003 - 1006
Erscheinungsjahr:    1990
ISBN / ISSN: 0304-3843
URL der Originalveröffentlichung doi:10.1007/BF02399915
  
Dokumentart:
Zeitschriftenaufsatz Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Open Access:
Person der Universität:   
Einrichtung: Universitätsleitung
DDC-Sachgruppe:    Physik
ID: 53201  Universitätsbibliothek Mainz
Hinweis:
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Abstract: Interface compound formation in Ni/In film couples has been studied by means of the PAC method using radioactive111In probe atoms. Subsequent occurrence of the compounds Ni10In27, Ni2In3, NiIn and Ni3In has been observed after isochronal annealing. Interdiffusion was found to start at temperatures about 250K whereby Ni propagates into the In film.
   
  
Verfügbarkeit prüfen:    Rechercheportal Mainz: 0304-3843
  KatalogPortal Mainz (inklusive FB 06): 0304-3843
  Elektronische Zeitschriftenbibliothek (EZB): 0304-3843
 


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