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Personen: Platzer, R. (Autor) 
W√∂hrmann, U. (Autor) 
Ding, X.L. (Autor) 
Fink, R. (Autor) 
Krausch, Georg (Autor) 
Luckscheiter, B. (Autor) 
Voigt, J. (Autor) 
Schatz, G. (Autor) 
  
Titel: Interface compound formation and dependence on In-layer thickness in Ni/In thin-film systems
  
Quelle: Applied physics letters. Bd. 58. H. 25. Ridge, NY : American Physical Society. S. 2904 - 2906
Erscheinungsjahr:    1991
ISBN / ISSN: 0031-9007
URL der Originalveröffentlichung doi:10.1063/1.104717
  
Dokumentart:
Zeitschriftenaufsatz Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Open Access:
Person der Universität:   
Einrichtung: Universitätsleitung
DDC-Sachgruppe:    Physik
ID: 53207  Universitätsbibliothek Mainz
Hinweis:
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Abstract: Interdiffusion and interface compound formation has been observed at the system Ni/In by using thin-film couples as well as thin In films on low index Ni single-crystal substrates. The method applied was the perturbed gammagamma-angular correlation technique, which is very sensitive to local structures and their changes around probe atoms. The successive occurrence of different Ni/In compounds could be observed on isochronal annealing above 230 K. A correlation between the appearance of compounds and In film thickness has been found.
   
  
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