Gutenberg Open


Titelanzeige

Personen: Krausch, Georg (Autor) 
Detzel, T. (Autor) 
Bielefeldt, H. (Autor) 
Fink, R. (Autor) 
Luckscheiter, B. (Autor) 
Platzer, R. (Autor) 
Wöhrmann, U. (Autor) 
Schatz, G. (Autor) 
  
Titel: Growth and melting behaviour of thin in films on Ge(100)
  
Quelle: Journal of applied physics : A. Bd. 53. H. 4. Berlin u.a. : Springer. S. 324 - 329
Erscheinungsjahr:    1991
ISBN / ISSN: 1432-0630 ; 0947-8396
  
Dokumentart:
Zeitschriftenaufsatz Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Open Access:
Person der Universität:   
Einrichtung: Universitätsleitung
DDC-Sachgruppe:    Physik
ID: 53281  Universitätsbibliothek Mainz
Hinweis:
Informationen zu den Nutzungsrechten unserer Inhalte Informationen zu den Nutzungsrechten unserer Inhalte
Abstract: Growth and melting behaviour of thin indium films on Ge(100) have been investigated by Auger-electron spectroscopy (AES), atomic force microscopy (AFM) and perturbed γγ angular correlation (PAC) spectroscopy, respectively. At room temperature inidium is found to grow in three-dimensional islands even at submonolayer coverages. A very rough film surface is observed for thicknesses up to 230 ML. The melting behaviour of such films has been studied by PAC. A reduction of the melting temperature T m as well as a strong supercooling of the films is observed. The electric field gradient for 111In(111Cd) in the indium islands is determined as a function of temperature and is used to monitor the local crystalline order of the films up to temperatures just below the melting point.
   
  
Verfügbarkeit prüfen:    Rechercheportal Mainz: 1432-0630/0947-8396
  KatalogPortal Mainz (inklusive FB 06): 1432-0630/0947-8396
  Elektronische Zeitschriftenbibliothek (EZB): 1432-0630 oder 0947-8396
 


Im   
Impressum