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Personen: Krausch, Georg (Autor) 
Colchero, J. (Autor) 
Detzel, T. (Autor) 
Fink, R. (Autor) 
Luckscheiter, B. (Autor) 
Wöhrmann, U. (Autor) 
Schatz, G. (Autor) 
  
Titel: Non-reactive metal/semiconductor interfaces : a combined AES, AFM and PAC study
  
Quelle: Hyperfine interactions. Bd. 78. H. 1. Dordrecht : Springer. S. 295 - 301
Erscheinungsjahr:    1993
ISBN / ISSN: 1572-9540 ; 0304-3843
URL der Originalveröffentlichung doi:10.1007/BF00568151
  
Dokumentart:
Zeitschriftenaufsatz Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Open Access:
Person der Universität:   
Einrichtung: Universitätsleitung
DDC-Sachgruppe:    Physik
ID: 53286  Universitätsbibliothek Mainz
Hinweis:
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Abstract: Thin In films on Ge(100), Si(100) andSi(111) are investigated using Auger-electron spectroscopy (AES), atomic force microscopy (AFM) andperturbed γγ-angular correlation (PAC) spectroscopy, respectively. The growth mode of the metal films is characterized by in situ AES measurements, indicating distinct differences between the different substrate surfaces. Additional AFM investigations are used to monitor the film topography at higher metal coverage. Finally, the local crystalline structure of the films is studied by the PAC technique.
   
  
Verfügbarkeit prüfen:    Rechercheportal Mainz: 1572-9540/0304-3843
  Elektronische Zeitschriftenbibliothek (EZB): 1572-9540 oder 0304-3843
 


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