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Personen: Fink, R. (Autor) 
Koch, T. (Autor) 
Krausch, Georg (Autor) 
Marien, J. (Autor) 
Plewnia, A. (Autor) 
Runge, B.-U. (Autor) 
Schatz, G. (Autor) 
Siber, A. (Autor) 
Ziemann, P. (Autor) 
  
Titel: Formation of an ultrathin amorphous layer at In/Pd interfaces observed by local and nonlocal techniques
  
Quelle: Physical review : B. Bd. 47. H. 15. College Park, Md. : APS. S. 10048 - 10051
Erscheinungsjahr:    1993
ISBN / ISSN: 1095-3795 ; 1098-0121
URL der Originalveröffentlichung doi:10.1103/PhysRevB.47.10048
  
Dokumentart:
Zeitschriftenaufsatz Zeitschriftenaufsatz
Sprache: Englisch
Open Access:
Person der Universität:   
Einrichtung: Universit├Ątsleitung
DDC-Sachgruppe:    Physik
ID: 53290  Universitätsbibliothek Mainz
Hinweis:
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Abstract: The perturbed ╬│╬│-angular correlation technique has been used to study In/Pd(100) interfaces using In 111 isotopes as local probes. A thin amorphous interface layer is found after In deposition at 77 K. Above 350 K, crystalline In/Pd compounds are formed starting with In 3 Pd. This sequence and especially the formation of an amorphous interface has been corroborated by studying the resistance of ultrathin In/Pd multilayers during film growth at 90 K. The previously unknown amorphous In 3 Pd phase was identified by in situ electron diffraction on vapor-quenched films.
   
  
Verfügbarkeit prüfen:    Rechercheportal Mainz: 1095-3795/1098-0121
  Elektronische Zeitschriftenbibliothek (EZB): 1095-3795 oder 1098-0121
 


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